砷化镓技术跻身世界先进行列

第6版(教育·科技·文化)
专栏：

砷化镓技术跻身世界先进行列
　　本报讯北京有色金属研究总院日前研究开发出我国首套蒸气压控制直拉法（VCZ法）晶体生长系统和工艺技术，成功拉制出国内第一根直径4英寸VCZ半绝缘砷化镓单晶，填补了国内空白，使我国成为继日本、德国之后第三个掌握该技术的国家，标志着我国砷化镓晶体生长技术进入世界领先行列。
　　砷化镓是最重要、最成熟的化合物半导体材料。随着无限通讯、光纤通讯、汽车电子等产业的迅猛发展，半绝缘砷化镓材料市场正迅速扩大。有研总院承担的“九五”国家重点科技攻关项目“蒸气压控制直拉法生长半绝缘砷化镓单晶新技术研究”，将我国在该领域的研究水平提升到世界领先行列。刚刚通过验收的我国第一套蒸气压控制直拉法单晶生长系统，已成功拉制出多根半绝缘砷化镓单晶，使砷化镓晶体的主要缺陷指标——位错密度较常规技术低一个数量级，可满足高品质高频、超高速集成电路的要求，对发展我国半导体高新技术具有十分重大的意义。（杨文）