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深亚微米集成电路设计获突破

字号+作者：人民日报来源：人民日报 2000-11-29 00:00 评论(创建话题) 收藏成功收藏本文

深亚微米集成电路设计获突破第1版(要闻) 专栏：新闻简报　　深亚微米集成电路设计获突破　　上海交大林争辉教授率领课题组攻克的0．25μm深亚微米集成'...

深亚微米集成电路设计获突破

第1版(要闻)
专栏：新闻简报

　　深亚微米集成电路设计获突破
　　上海交大林争辉教授率领课题组攻克的0．25μm深亚微米集成电路设计技术日前通过鉴定，使我国成为国际上少数几个掌握这一档级设计技术自主知识产权的国家之一。0．25μm档级深亚微米芯片设计技术中的“逻辑综合与物理设计一体化理论”属国际首创。（田泓）

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