制造纳米硅结构新方法

【美国大学每日科学新闻网站4月10日报道】康奈尔大学两位研究人员即将公布一种制造纳米硅结构的全新方法。这项技术使研究人员有望研制出生物传感器和发光硅显示器等装置。
这种称作受控错位蚀刻（CED）的新方法，在一块硅表面产生一系列由柱状突起——研究人员把它们称作“纳米突起”———构成的元件。它们的宽度只有25纳米，是商用微处理器的最小元件的六分之一。
微电子公司利用光学平版印刷技术生产计算机电路等，但是这项技术受到光线波长的限制。
该大学材料科学教授斯蒂芬·萨斯和化学副教授梅利莎·海因斯认为，这种新蚀刻方法将使他们能生产小到10纳米的硅结构。
他们指出，以CED为基础的方法，有可能在6英寸宽的整个硅片表面制造微小结构。
海因斯说，这种制造纳米结构的技术，有很多潜在用途。它有可能打开在生物尺度上生产的大门。海因斯说，用CED还可以生产发光硅装置。
此外，可以把磁性材料放在纳米突起上，制造高密度数据存储媒体。