世界最好的……

第3版(综合)
专栏：

　　世界最好的……
中国半导体研究所研究员、学部委员 林兰英
我今年７２岁，１９５７年从美国回国。当时我已获得固体物理学博士学位。回国后，由于国家的需要，组织上安排我去研制半导体材料。当时，我们这么大一个国家，还没有人搞半导体材料，而没有半导体材料，也就没有半导体器件，没有诸如电子计算机、控制器等电器产品……经过反复的思想斗争，我接受了任务。
我们从１９６０年开始研制砷化镓，试验多次，终于获得成功。到１９６２年１０月，我们用石英舟制造出来的砷化镓，经试验鉴定，迁移率达到４８００平方厘米／秒伏，是当时这种材料在国际上的最高水平。１９７３年，我提出了用气相外延和液相外延法来制备砷化镓单晶，以获得高纯砷化镓。正当大家鼓足劲要干时，赶上“文化大革命”。１９７８年党的十一届三中全会后，我们才真正干起来。
１９８１年一位国际著名的研究高纯砷化镓的美国教授对我们这种单晶的质量和纯度进行了全面分析，和美国、日本、西德的相比，我国材料最好。瑞典的隆德大学有一个研究所，他们需要高纯的Ｐ型砷化镓材料做试验，当时人们都非常迷信美国，认为美国的电话公司是全世界搞半导体材料最有能耐的，瑞典就找美国要样品，美国给他们寄去了几片，实验之后，什么结果也没出来。这时我所有一位同志正在隆德大学研究室工作，他用我们的样品，把一系列的物理研究问题全解决了。
１９８２年在欧洲开了一个半导体物理国际会议，对我国制造的Ｐ型砷化镓材料给予了很高评价，认为是国际最高水平的。
１９８７年１月，我们同兰州物理所开始合作，没要国家一分钱，一次成功做出了两块单晶，一块１７毫米长，１０毫米直径；另一块是７毫米长，１０毫米直径，是目前在空间做的最大的砷化镓晶体。１９８８年我们又一次在卫星上制备掺硅的砷化镓单晶，用它制造了室温连续相干的激光器，引起了这个领域中的科学家的震惊和轰动。
１９８９年７月底，应美国国家宇航局邀请，我去作了一个报告，世界上搞空间材料的科学家大多都到了会。他们听完后，非常激动，说，你们中国人在极端艰苦的条件下，以节俭的精神作出了杰出的成果。